JANSR2N7652T1
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JANSR2N7652T1

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封装

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JANSR2N7652T1
JANSR2N7652T1
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    45 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    194 nC
  • QPL部件号
    2N7652T1
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    7 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 最高 电压等级
    60 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
R9 技术支持用于太空应用的抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7652T1，对 SEE 和 LET 的免疫力提高到 90MeV·cm2/mg。这些 MOSFET 具有低 RDS(on) 和更快的开关时间，可提高功率密度并降低高速开关应用（如空间电源系统中的 DC-DC 转换器和电机控制器）中的功率损耗。JANSR2N7652T1 符合 QPL 资格。

应用

文档

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