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JANSR2N7652U2A

数据手册
封装

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JANSR2N7652U2A
JANSR2N7652U2A
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    100 A
  • ID (@25°C) max
    100 A
  • QG
    194 nC
  • QPL Part Number
    2N7652U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    4 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 SupIR-SMD 封装的 R9 N 沟道 MOSFET JANSR2N7652U2A 是一款高性能、60V 和 100A 抗辐射器件，专为空间应用而设计。其电气性能高达 100krad(Si) TID，并符合 QPL 标准。该 R9 MOSFET 具有更高的 SEE 抗扰度、更低的 RDS(on) 和更快的开关时间，从而提高了功率密度并降低了功率损耗。

应用

文档

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