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JANSR2N7659D5

数据手册
封装

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JANSR2N7659D5
JANSR2N7659D5
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    2
  • ID (@25°C) max
    -30 A
  • QG
    48 nC
  • QPL Part Number
    2N7659D5
  • RDS (on) (@25°C) max
    46 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • VF max
    -1.3 V
  • Optional TID Rating
    100 300
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • Polarity
    P
  • Generation
    R9
  • Die Size
    3
  • Qualification
    DLA
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7659D5 是采用 TO-257AA 无平板低欧姆封装的抗辐射单 P 通道 MOSFET。该 R9 代器件具有 -60V 和 -30A 能力，TID 和 QPL 分类高达 100krad(Si)。其低 RDS(on) 和快速开关时间使其非常适合空间总线和有效载荷系统中的电机控制器和 DC-DC 转换器中的高速开关应用。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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