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JANTXVF2N7381

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JANTXVF2N7381
JANTXVF2N7381

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    6 A
  • ID (@25°C) max
    9.4 A
  • QG
    50 nC
  • QPL Part Number
    2N7381
  • RDS (on) (@25°C) max
    400 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.4 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-257AA
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Die Size
    3
  • Qualification
    DLA
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 JANTXVF2N7381 是一款单 N 沟道 MOSFET,额定电压为 200V,电流为 9.4A,提供高达 300krad(Si) TID 和 QPL 分类的电气性能。它采用 TO-257AA 封装,非常适合 DC-DC 转换器和电机控制等空间卫星总线和有效载荷应用。该 R5 MOSFET 保留了电压控制、快速开关和电气参数温度稳定性等公认的优点。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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