JANTXVF2N7381
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JANTXVF2N7381

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JANTXVF2N7381
JANTXVF2N7381


商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    6 A
  • 最高 ID (@25°C)
    9.4 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7381
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    400 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-257AA
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    DLA

OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TO-257AA STANDARD
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TO-257AA STANDARD
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 JANTXVF2N7381 是一款单 N 沟道 MOSFET,额定电压为 200V,电流为 9.4A,提供高达 300krad(Si) TID 和 QPL 分类的电气性能。它采用 TO-257AA 封装,非常适合 DC-DC 转换器和电机控制等空间卫星总线和有效载荷应用。该 R5 MOSFET 保留了电压控制、快速开关和电气参数温度稳定性等公认的优点。

应用

文档

设计资源

开发者社区