JANTXVF2N7389
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JANTXVF2N7389

数据手册
封装

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JANTXVF2N7389
JANTXVF2N7389
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    -4.1 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -6.5 A
  • QG
    45 nC
  • QPL部件号
    2N7389
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    300 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -3 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    P
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANTXVF2N7389 P 通道 MOSFET 具有抗辐射能力，电压为 -100V，电流为 -6.5A，采用单个 TO-205AF 封装。其电气性能高达300krad(Si) TID和QPL分类。IR HiRel R4 技术在高可靠性空间应用方面提供了经过验证的飞行传承。该器件的低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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