JANTXVR2N7482T3
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JANTXVR2N7482T3

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JANTXVR2N7482T3
JANTXVR2N7482T3
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    18 A
  • 最高 ID (@25°C)
    18 A
  • QG
    65 nC
  • QPL部件号
    2N7482T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    30 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IR HiRel 的 N 沟道 MOSFET JANTXVR2N7482T3 是一款单个抗辐射器件，额定电压为 30V，额定电流为 18A。它采用 TO-257AA 封装，属于 QPL 分类。这款 R5 MOSFET 的电气性能高达 100krad(Si) TID，非常适合空间应用，可为卫星总线和有效载荷的电源系统提供低 RDS(on)、低栅极电荷和快速切换。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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