P2000DE45X168
即将推出
即将推出
符合RoHS标准
无铅

P2000DE45X168

4500 V, 2000 A Press Pack IGBT
数据手册

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P2000DE45X168
P2000DE45X168
数据手册


商品详情

  • IC
    2000 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2.7 V
  • VCES
    4500 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    3.4 V
  • 封装
    Disc dia 168mm high 26mm / Ceramic
  • 技术
    Press Pack
  • 拓扑结构
    IGBT + Diode
  • 质量等级
    Industrial

OPN
P2000DE45X168HPSA1
产品状态 coming soon
英飞凌封装名称 BG-P16826K-1
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
DE
晶圆产地
DE

产品状态 coming soon
英飞凌封装名称 BG-P16826K-1
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
DE
晶圆产地
DE
The Press Pack IGBT offers 2000 A with integrated freewheeling diode using Infineon Trench 4.5 kV IGBT chips.

特性

  • Long term short on fail behavior
  • High short-circuit capability
  • Low VCE(SAT)
  • Hermetically sealed housing
  • Cooling of the device

产品优势

  • High dynamic robustness
  • Stack Design
文档

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