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RIC7S113E4SCB

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RIC7S113E4SCB
RIC7S113E4SCB
数据手册

商品详情

  • SEE
    81.9 MeV∙cm2/mg
  • tf
    17 ns
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • toff
    100 ns
  • ton
    120 ns
  • tr
    25 ns
  • VS max
    400 V
  • Product Category
    HiRel Power ICs
  • Supply Voltage
    10 V to 20 V
  • Bias Supply Voltage
    5 V to 20 V
  • Package
    LCC-18
  • Voltage Class
    100 V
  • Language
    SPICE
  • OverClocking
    Delay Matching 20 (ns)
  • Output Voltage max
    20 V
  • Channels
    2
  • Configuration
    High-side and low-side
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 CIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 CIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
RIC7S113E4SCB 是一款抗辐射高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。它采用 LCC CIC 封装，适用于太空等恶劣辐射环境，其电气参数高达 100 krad（Si），单一效应 (SEE) 特征为 LET 高达 81.9 MeV·cm2/mg。该设备按照 MIL-PRF-38535 B 级进行筛选。

应用

文档

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