RIC7S113E4SCB
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RIC7S113E4SCB

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RIC7S113E4SCB
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数据手册

商品详情

  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 最高 VS
    400 V
  • 产品类别
    HiRel Power ICs
  • 供电电压 范围
    10 V 至 20 V
  • 偏置电源电压 范围
    5 V 至 20 V
  • 封装
    LCC-18
  • 电压等级
    100 V
  • 语言
    SPICE
  • 超频
    Delay Matching 20 (ns)
  • 最高 输出电压
    20 V
  • 通道数
    2
  • 配置
    High-side and low-side
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
RIC7S113E4SCB 是一款抗辐射高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。它采用 LCC CIC 封装，适用于太空等恶劣辐射环境，其电气参数高达 100 krad（Si），单一效应 (SEE) 特征为 LET 高达 81.9 MeV·cm2/mg。该设备按照 MIL-PRF-38535 B 级进行筛选。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区