RIC7S113L4SCB
现货，推荐

RIC7S113L4SCB

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

RIC7S113L4SCB
RIC7S113L4SCB
数据手册


商品详情

  • SEE
    81.9
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 产品类别
    Gate Driver
  • 供电电压 范围
    10 V 至 20 V
  • 偏置电源电压 范围
    5 V 至 20 V
  • 封装
    MO-036AB
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 125 °C
  • 拓扑结构
    High-side and low-side
  • 电压等级
    100 V
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    QIRL
  • 超频
    Delay Matching 20 (ns)
  • 最高 输出电压
    20 V
  • 通道
    2

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-DIP-14
封装名 14 Pin Dual In Line SB
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-DIP-14
封装名 14 Pin Dual In Line SB
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器 RIC7S113L4SCB 具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专为太空等恶劣辐射环境而设计，其电气参数特征高达 100 krad（Si）TID 和 81.9 MeV·cm2/mg 的 LET。MO-036AB CIC 封装中的 MIL-PRF-38535 B 级筛选。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区