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S25FL032P0XMFA010

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S25FL032P0XMFA010
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商品详情

  • 密度
    32 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    40 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    104 / -
  • 系列
    FL-P
  • 认证标准
    Automotive
OPN
S25FL032P0XMFA010
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (002-15548)
包装尺寸 1400
包装类型 TRAY
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (002-15548)
包装尺寸 1400
包装类型 TRAY
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL032P0XMFA010是一款32 Mbit、3.0 V SPI NOR闪存，采用0.09 μm MirrorBit®工艺，具有64个均匀64 KB扇区和灵活的顶/底参数块。支持高达104 MHz读取、四/双I/O和256字节页编程。集成高级数据保护、一次性可编程（OTP）区，具备每扇区10万次擦写和20年数据保存能力，适用于-40°C至+85°C代码存储和嵌入式应用。

特性

  • 3.0 V单电源操作
  • 2.7 V至3.6 V读写电压范围
  • 0.09 μm MirrorBit®工艺
  • 均匀64 KB扇区结构
  • 256字节页大小
  • 1.5 ms 256字节页编程
  • 四路页编程高速写入
  • 双/四路I/O高性能读取（80 MHz）
  • 支持块、扇区、子扇区擦除
  • 省电待机及深度掉电模式
  • 10万次/扇区擦写寿命
  • 20年数据保持

产品优势

  • 3.0 V电源简化系统设计
  • 宽电压适应多场景
  • MirrorBit®提升密度与可靠性
  • 均匀扇区便于管理
  • 256字节页编程提升速度
  • 四/双I/O模式速率高
  • 多种擦除灵活应用
  • 待机/掉电省能耗
  • 高耐久延长寿命
  • 20年数据安全保存
  • OTP支持安全身份
  • JEDEC标准便于集成

应用

文档

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