S25FL256SAGMFAG00
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FL256SAGMFAG00

数据手册
封装
软件

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S25FL256SAGMFAG00
S25FL256SAGMFAG00
数据手册


商品详情

  • 分类
    ISO 26262-ready
  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    52 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 质量等级
    Automotive

推荐的
OPN
S25FL256SAGMFAG00
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
封装尺寸 2400
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
封装尺寸 2400
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
S25FL256SAGMFAG00是一款256 Mb（32 MB）SPI NOR闪存，采用英飞凌65纳米MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，支持单、双、四路SPI及DDR模式。核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至3.6 V，具备4 KB与64 KB混合扇区，最高读取速率80 MBps，支持10万次擦写和20年数据保持，适用于对高可靠性和高速执行有需求的汽车及工业代码存储。

特性

  • CMOS 3.0 V内核，灵活I/O
  • SPI多I/O接口
  • 支持DDR和SDR时钟
  • 24/32位扩展寻址
  • 多种读取模式：普通、快速、双、四、DDR
  • 页编程速率高达1.5 MBps
  • 自动ECC单比特纠错
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保存
  • 1024字节OTP安全区
  • 高级扇区和块保护

产品优势

  • 灵活I/O简化系统集成
  • 高速SPI提升数据吞吐
  • DDR/SDR设计灵活
  • 扩展寻址支持大容量
  • 多读取模式优化性能
  • 快速编程加速生产
  • ECC提升数据可靠性
  • 扇区选项便于兼容
  • 高耐久降低维护成本
  • 长期保存确保数据安全
  • OTP区实现安全ID
  • 保护机制增强安全性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区