S25FL512SAGBHVA10
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FL512SAGBHVA10

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S25FL512SAGBHVA10
S25FL512SAGBHVA10
数据手册


商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    52 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
S25FL512SAGBHVA10
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
封装尺寸 338
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
封装尺寸 338
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL512SAGBHVA10是一款512 Mb（64 MB）SPI NOR闪存，采用英飞凌65 nm MIRRORBIT™技术与Eclipse™架构，实现快速编程和擦除。支持单、双、四路SPI Multi-I/O及DDR模式，最高读取速度80 MBps，页编程速率1.5 MBps。核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至3.6 V，具备20年数据保持、10万次擦写寿命，并通过AEC-Q100认证，适用于汽车和工业领域。

特性

  • 3.0 V内核多功能I/O
  • SPI多I/O：单、双、四路
  • 所有I/O模式支持DDR读
  • 512字节页编程缓冲区
  • 自动ECC单比特纠错
  • 均匀256 KB扇区擦除
  • 最小10万次擦写寿命
  • 最小20年数据保存
  • 1024字节OTP安全区
  • 高级扇区及块保护
  • 电源电压2.7-3.6 V
  • I/O电压1.65 V至VCC+200 mV

产品优势

  • 灵活接口适配多种主机
  • DDR及四路I/O实现高速传输
  • 大缓冲区加快编程速度
  • ECC保障数据可靠性
  • 扇区易管理便于擦除
  • 高耐久支持频繁更新
  • 长期数据可靠保存
  • OTP安全区防伪认证
  • 强大保护防误操作
  • 宽电压支持多样设计
  • 错误报告保障数据完整
  • 兼容旧SPI闪存产品

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区