S26HL512TFPBHI010
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S26HL512TFPBHI010

数据手册
封装

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S26HL512TFPBHI010
S26HL512TFPBHI010
数据手册


商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    333 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • 目前计划的可用性至少到
    2037
  • 系列
    HL-T
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
S26HL512TFPBHI010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
封装尺寸 338
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
CN

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
封装尺寸 338
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
CN
S26HL512TFPBHI010是一款512 Mbit SEMPER™ HL-T NOR闪存，采用HYPERBUS™接口，用于高吞吐量代码与数据存储。工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围-40°C至85°C。HyperBus DDR最高166 MHz（333 MByte/s）。提供24球BGA（6 x 8 mm）封装，并集成ECC（SECDED）、接口CRC、数据完整性CRC、SafeBoot、AutoBoot及高级扇区保护。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™每单元2位
  • HYPERBUS™ DDR读400 MBps
  • 兼容JEDEC JESD251 xSPI
  • 读数据用DS数据选通
  • 默认启动x1 SPI或x8
  • 256 KB均匀或混合扇区
  • 256/512字节页编程缓存
  • 16字节数据单元内置ECC
  • SECDED纠1位检2位
  • ECC上报:INT#/计数/陷阱
  • 扇区保护DYB/PPB
  • 非易失保护可密码锁定

产品优势

  • 相同芯片面积实现更高密度
  • 加速XIP读取与代码执行
  • 基于JEDEC更易对接主控
  • 高速读数据捕获更可靠
  • 启动模式更灵活可兼容
  • 按应用优化擦除粒度
  • 更少写入提升编程效率
  • 自动纠正随机位翻转
  • 及早发现双位错误风险
  • 便于记录与定位ECC故障
  • 防止误擦除/误编程
  • 安全锁定保护配置

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区