S27KL0641DABHI020

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商品详情

  • 初始访问时间
    40 ns
  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 总线宽度
    x8
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    200 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 100
  • 系列
    KL-1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
S27KL0641DABHI020是一款64 Mb（8 MB）HyperRAM自刷新DRAM，采用低引脚数DDR接口（3.0 V时11根信号），8位DQ与RWDS选通/屏蔽。最高100 MHz（200 MBps），支持wrapped或线性突发，并在166 MHz时tACC最大36 ns。VCC/VCCQ为2.7 V至3.6 V，温度-40°C至+85°C，24球FBGA（1.00 mm间距）封装。

特性

  • HyperRAM低引脚接口
  • 8位DDR数据总线DQ[7:0]
  • I/O信号11/12根
  • 1.8 V时钟最高166 MHz
  • 3.0 V时钟最高100 MHz
  • 峰值带宽高达333 MBps
  • RWDS选通含写掩码
  • 包裹突发16/32/64/128B
  • 线性与混合突发模式
  • 支持深度掉电DPD
  • 电源范围1.7 V至1.95 V
  • 电源范围2.7 V至3.6 V

产品优势

  • 相比并行DRAM减少MCU引脚
  • DDR每拍吞吐更高
  • 走线更少更易布板
  • 166 MHz支持快速读访问
  • 100 MHz适配3.0 V主控
  • 333 MBps支持丰富HMI资源
  • RWDS简化时序并屏蔽写入
  • 突发可提升总线效率
  • 线性突发适合流式访问
  • DPD降低待机功耗
  • 1.8 V电源宽容简化电源
  • 3.0 V电源适配旧电源轨

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区