S27KL0642GABHM023
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

S27KL0642GABHM023

数据手册
封装

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S27KL0642GABHM023
S27KL0642GABHM023
数据手册


商品详情

  • 初始访问时间
    35 ns
  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KL-2
  • 质量等级
    Automotive

OPN
S27KL0642GABHM023
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
TW
S27KL0642GABHM023是一款64 Mbit HyperRAM自刷新DRAM，具备HyperBus接口、8位DDR数据总线（DQ[7:0]）与RWDS，并支持CS#与RESET#。最高200 MHz时钟、吞吐量达400 MBps，支持可配置线性或环绕突发（16/32/64/128字节）及环绕后转线性混合突发。VCC为2.7 V至3.6 V，温度–40°C至+125°C（AEC-Q100 Grade 1）。

特性

  • HyperBus接口
  • 8位DDR数据总线DQ[7:0]
  • 最高200 MHz时钟
  • 吞吐量最高400 MBps
  • tACC最大35 ns
  • RWDS读选通/写屏蔽
  • 可选差分时钟CK/CK#
  • 可选DCARS相位偏移
  • 线性或wrapped突发
  • Active Clock Stop状态
  • Hybrid Sleep保留数据
  • Deep Power Down停止刷新

产品优势

  • 比并行DRAM更少引脚
  • 高带宽加速数据加载
  • 35 ns降低读延迟
  • RWDS提升DDR时序裕量
  • 差分时钟提升信号完整性
  • DCARS提升读数据眼裕量
  • 突发模式匹配系统访问
  • 停时钟降低停顿功耗
  • HS省电且保留数据
  • DPD未使用时最低功耗
  • 兼容1.8 V或3.0 V电源
  • 2 kV HBM提升耐用性
文档

设计资源

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