S27KL0642GABHV023
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S27KL0642GABHV023

数据手册
封装

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S27KL0642GABHV023
S27KL0642GABHV023
数据手册


商品详情

  • 初始访问时间
    35 ns
  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KL-2
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
S27KL0642GABHV023
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S27KL0642GABHV023是一款64 Mb HYPERRAM自刷新DRAM（PSRAM），带HYPERBUS接口、CS#、RESET#、RWDS及8位DDR DQ[7:0]总线。最高支持200 MHz时钟（最高400 MBps），最大访问时间35 ns，并支持线性或wrapped突发可配置。该器件为3.0 V版本，工作电压2.7 V至3.60 V，温度等级-40°C至+105°C，支持Hybrid Sleep与深度掉电，深度掉电电流低至15 µA。

特性

  • HYPERBUS™接口
  • 支持1.8 V或3.0 V
  • 支持单端或差分时钟
  • 8位DDR数据总线DQ[7:0]
  • RWDS读写选通与写掩码
  • 可选DCARS读选通
  • 最高时钟200 MHz
  • 吞吐量高达400 MBps
  • 最大访问时间tACC 35 ns
  • 混合休眠保留数据
  • 深度掉电停止刷新
  • ESD: HBM 2 kV, CDM 500 V

产品优势

  • 通过x8实现高速MCU扩展
  • 兼容1.8 V/3.0 V电源轨
  • 时钟选项降低布线难度
  • DDR x8降低走线复杂度
  • RWDS提升DDR时序裕量
  • DCARS增大读数据眼裕量
  • 200 MHz支持高带宽传输
  • 400 MBps支持高速帧缓存
  • tACC 35 ns降低访问延迟
  • 混合休眠省电且保留数据
  • 深度掉电在无需数据时省电
  • 高ESD提升装配可靠性
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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