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S29AL008J55TFNR10

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S29AL008J55TFNR10
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商品详情

  • 初始访问时间
    55 ns
  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 125 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 系列
    AL-J
  • 认证标准
    Industrial
OPN
S29AL008J55TFNR10
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-48 (51-85183)
包装尺寸 480
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-48 (51-85183)
包装尺寸 480
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S29AL008J55TFNR10是一款8 Mbit（1M × 8位/512K × 16位）3 V启动区Flash存储器，访问时间为55 ns，工作电压范围2.7 V至3.6 V。支持顶/底启动块配置，采用48引脚TSOP封装，最高工作温度125°C。通过AEC-Q100认证，具备扇区保护、CFI兼容和超低功耗模式，适用于汽车和工业领域的可靠代码存储。

特性

  • 单2.7–3.6 V读写电源
  • 8 Mbit容量，x8/x16结构
  • 访问速度快至55 ns
  • 110 nm工艺技术
  • 安全硅区存储ID
  • 灵活扇区架构
  • 扇区组保护/解锁
  • 解锁旁路加快编程
  • 超低功耗：0.2 µA待机/休眠
  • 每扇区100万次擦写
  • 数据保存20年
  • 兼容JEDEC命令集

产品优势

  • 简化电源设计
  • 支持高速系统运行
  • 设备认证更安全
  • 灵活管理代码/数据
  • 防止数据意外丢失
  • 编程更快节省时间
  • 待机功耗极低
  • 频繁更新也可靠
  • 数据长期保存
  • 易于系统集成
  • 兼容标准编程器
  • 降低系统出错风险

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }