SIDC59D170H

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SIDC59D170H
SIDC59D170H
  • 最高 I(FSM)
    200 A
  • 最高 IF
    100 A
  • 最高 IR
    250 µA
  • Irrm
    123 A
  • 最高 VDS
    1700 V
  • VF
    1.8 V
  • 技术
    Emitter Controlled Diode 3
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。我们的超薄晶圆和场截止技使发射极控制二极管非常适合消费及工业应用,因为它通过软恢复降低了 IGBT 的开通损耗。发射极控制二极管针对英飞凌 IGBT 技术进行了优化。

特性

  • 软开关、快速开关
  • 低反向恢复电荷
  • 小温度系数

应用

文档

设计资源

开发者社区

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