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SIGC109T120R3E
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

SIGC109T120R3E

停产
数据手册
多个 OPN 可用

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SIGC109T120R3E
SIGC109T120R3E
数据手册


商品详情

  • 最高 IC
    100 A
  • 最高 VCE(sat)
    2.1 V
  • 最高 VCE
    1200 V
  • 最高 VDS
    1200 V
  • VGE(th) 范围
    5 V 至 6.5 V
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 150 °C
  • 技术
    IGBT3

OPN
SIGC109T120R3EX1SA6 SIGC109T120R3EX7SA3
产品状态 discontinued discontinued
英飞凌封装名称 -- --
封装名 N/A N/A
封装尺寸 1 1
封装类型 WAFER SAWN HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 N/A N/A
防潮封装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 WAFER SAWN
湿度 -
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 -
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术，是行业的标杆

特性

  • 低关断损耗
  • 短尾电流
  • 正温度系数
  • 易于并联

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区