SIGC15T60E
在产
符合RoHS标准
无铅

SIGC15T60E

数据手册

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SIGC15T60E
SIGC15T60E
数据手册


商品详情

  • 最高 IC
    30 A
  • 最高 VCE(sat)
    1.9 V
  • 最高 VCE
    600 V
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGE(th) 范围
    5 V 至 6.5 V
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 175 °C
  • 技术
    IGBT3

推荐的
OPN
SIGC15T60EX1SA4
产品状态 active
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 WAFER SAWN
湿度 N/A
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
晶圆产地
MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 WAFER SAWN
湿度 -
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
晶圆产地
MY
我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术，是行业的标杆

特性

  • 低关断损耗
  • 短尾电流
  • 正温度系数
  • 易于并联
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