现货，推荐
符合RoHS标准

SPB80P06P G

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-60V，D2PAK
数据手册
封装

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SPB80P06P G
SPB80P06P G
数据手册

商品详情

  • Ciss
    4026 pF
  • Coss
    1252 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    -80 A
  • 最高 IDpuls
    -320 A
  • 最高 Ptot
    375 W
  • QG (typ @10V)
    115 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    23 mΩ
  • Rth
    0.4 K/W
  • 最高 VDS
    -60 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 最高 工作温度
    175 °C
  • 最低 工作温度
    -55 °C
  • 极性
    P
  • 预算价格€/1k
    1.64
推荐的
OPN
SPB80P06PGATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

  • 增强模式
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • Dv/dt 额定值
  • 无铅镀铅
符合 RoHS 标准，无卤素
  • 符合 AEC Q101 要求

    • 文档

    文档

    设计资源

    合作伙伴解决方案

    开发者社区

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