SPP08P06P H

P沟道功率MOSFET -60 V，采用TO-220封装
数据手册

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SPP08P06P H
SPP08P06P H
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商品详情

  • Ciss
    335 pF
  • Coss
    105 pF
  • ID max
    -8.8 A
  • IDpuls max
    -35.2 A
  • Ptot max
    42 W
  • QG
    -10 nC
  • RDS (on) max
    300 mΩ
  • Rth
    3.6 K/W
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -2.1 V to -4 V
  • 封装
    TO-220
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • Dv/dt 额定值
  • 无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准，无卤素
  • 符合 AEC Q101 要求

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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