SPP11N80C3
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

SPP11N80C3

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封装
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SPP11N80C3
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID
    11 A
  • 最高 ID (@25°C)
    11 A
  • 最高 IDpuls
    33 A
  • 最高 Ptot
    156 W
  • QG
    50 nC
  • QG (typ @10V)
    50 nC
  • 最高 RDS (on)
    450 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    450 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.8 K/W
  • Rth
    0.8 K/W
  • Special Features
    price/performance
  • 最高 VDS
    800 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.9 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.11

OPN
SPP11N80C3XKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE,MY
视图替换

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE,MY
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Replacement for CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7 800V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.

特性

  • Low resistance (RDS(on)*A)
  • Minimal Eoss @400V in O/P
  • Low gate charge (Qg)
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ tech manufactured by since 1998

产品优势

  • higher switching frequencies
  • higher power density
  • higher efficiency
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区