SPP15P10P H

SPP15P10P H

P沟道功率MOSFET -100 V，采用TO-220封装
数据手册

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SPP15P10P H
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数据手册

商品详情

  • Ciss
    961 pF
  • Coss
    237 pF
  • 最高 ID
    -15 A
  • 最高 IDpuls
    -60 A
  • 最高 Ptot
    128 W
  • QG
    37 nC
  • 最高 RDS (on)
    240 mΩ
  • Rth
    1.17 K/W
  • 最高 VDS
    -100 V
  • VGS(th) 范围
    -4 V 至 -2.1 V
  • 封装
    TO-220
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • Dv/dt 额定值
  • 无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准，无卤素
  • 符合 AEC Q101 要求

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区