不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

XDP710-001

XDP ™ XDP710 业界首款宽电压范围热插拔控制器，具有可编程数字 SOA 控制，适用于系统
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封装
评估板
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XDP710-001
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商品详情

  • Protection Features
    Input overvoltage, input undervoltage, output undervoltage, overcurrent, short circuit current, over temperature, FET faults, fast input overvoltage, watchdog timer, memory and SOA fault
  • Power averaging ( (128 samples))
    13 ms
  • Package
    PG-VQFN-29
  • Supported rails
    Positive
  • Fault response
    Latch off, Auto retry or digitally configurable
  • Analog reporting
    -
  • Surge immunity
    -
  • Inrush current control type
    variable pulse SOA control (boost mode) at 1ms or 100µs SOA line with only auto boost, SOA current control
  • Green
    Halogen free, RoHS compliant
  • Current sensing
    High-side
  • Energy reading register size
    24-bit
  • Input Voltage (100V for 500ms)
    5.5 V to 80 V
  • Input Voltage fault hysteresis configurability
    Fixed
  • Communication Interfaces
    PMBus 1.3 at 1MHz
  • Telemetry accuracy
    V ≤ 1.0%, I ≤ 2.0%, P ≤ 2.0%, E ≤ 5.0%
OPN
XDP710001XUMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
VQFN-29
封装名 N/A
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
VQFN-29
封装名 -
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
XDP710-001 不适用于新设计。请参阅XDP710-002。 XDP710 是英飞凌科技智能热插拔控制器和保护 IC 系列的首个成员。该器件具有 5.5 V - 80 V 的输入电压范围，瞬态电压高达 100 V，持续 500 ms，可驱动单个或多个并联 N 沟道 MOSFET。 针对英飞凌功率 MOSFET 特性进行优化的高精度遥测和数字 SOA 控制模块、系统资源和管理模块以及用于 OptiMOS ™和 StrongIRFET ™系列等 n 通道功率 MOSFET 的集成栅极驱动器和电荷泵模块的组合，提供了受控开启和持续的系统健康监控，并通过 PMBus 接口与主 MCU 进行通信。 通过 PMBus 进行高速通信允许系统设计人员完全或部分禁用下游子系统。它包含了多种系统保护措施以确保安全运行，并根据事件的严重程度生成各种保护响应。闭锁、重置、系统关闭和重试是响应类型的一些示例。其SOA保护有效保证系统FET始终在安全状态下工作。

特性

  • 宽输入电压范围：5.5 V 至 80 V，瞬态耐受电压高达 100 V，持续时间为 500 ms
  • 可编程和预设 FET 有源 SOA 保护
  • 兼容英飞凌 OptiMOSTM 线性 FET，并可通过电阻搭接选择外部 FET
  • 集成栅极驱动器和电荷泵，用于外部 N 沟道 MOSFET
  • 先进的闭环 SOA 控制和全数字工作模式
  • 可配置的快速 FET 关断：两步关断或 1.5 A 下拉电流 PMBus 接口：1 MHz
  • 专用的 12 位电流和电压 ADC
  • 精密输入和输出电压监控和报告：≤1%
  • 精密 FET 电流监控和报告：≤ 1%
  • 精密输入功率监控和报告：≤ 2%
  • 能量监控和报告
  • 可编程输入和输出过压 (OV) 和欠压 (UV) 保护
  • 支持外部温度传感器和过温 (OT) 保护
  • 29 引脚 (6 mm x 6 mm) VQFN 封装

产品优势

  • 完整的系统保护和管理
  • 实时精确的系统测量
  • 动态灵活性和可编程性
  • 可靠的模拟核心，具有 PMBus 功率遥测功能
  • 数字配置减少了外部组件
  • 模拟辅助数字模式，支持旧系统
  • NVM 中的多个 SOA 配置文件缩短了设计时间
  • 输入瞬态和 MOSFET SOA 保护允许使用更小的 FET
  • 小型封装

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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