不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

XDP710-001

XDP ™ XDP710 业界首款宽电压范围热插拔控制器，具有可编程数字 SOA 控制，适用于系统
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

XDP710-001
XDP710-001
每件.
数据手册

商品详情

  • Protection Features
    Input overvoltage, input undervoltage, output undervoltage, overcurrent, short circuit current, over temperature, FET faults, fast input overvoltage, watchdog timer, memory and SOA fault
  • Power averaging ( (128 samples))
    13 ms
  • Package
    PG-VQFN-29
  • Supported rails
    Positive
  • Fault response
    Latch off, Auto retry or digitally configurable
  • Analog reporting
    -
  • Surge immunity
    -
  • Inrush current control type
    variable pulse SOA control (boost mode) at 1ms or 100µs SOA line with only auto boost, SOA current control
  • Current sensing
    High-side
  • Energy reading register size
    24-bit
  • Input Voltage (100V for 500ms)
    5.5 V to 80 V
  • Input Voltage fault hysteresis configurability
    Fixed
  • Communication Interfaces
    PMBus 1.3 at 1MHz
  • Telemetry accuracy
    V ≤ 1.0%, I ≤ 2.0%, P ≤ 2.0%, E ≤ 5.0%
OPN
XDP710001XUMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
VQFN-29
封装名 N/A
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
VQFN-29
封装名 -
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
XDP710-001 不适用于新设计。请参阅XDP710-002。 XDP710 是英飞凌科技智能热插拔控制器和保护 IC 系列的首个成员。该器件具有 5.5 V - 80 V 的输入电压范围，瞬态电压高达 100 V，持续 500 ms，可驱动单个或多个并联 N 沟道 MOSFET。 针对英飞凌功率 MOSFET 特性进行优化的高精度遥测和数字 SOA 控制模块、系统资源和管理模块以及用于 OptiMOS ™和 StrongIRFET ™系列等 n 通道功率 MOSFET 的集成栅极驱动器和电荷泵模块的组合，提供了受控开启和持续的系统健康监控，并通过 PMBus 接口与主 MCU 进行通信。 通过 PMBus 进行高速通信允许系统设计人员完全或部分禁用下游子系统。它包含了多种系统保护措施以确保安全运行，并根据事件的严重程度生成各种保护响应。闭锁、重置、系统关闭和重试是响应类型的一些示例。其SOA保护有效保证系统FET始终在安全状态下工作。

特性

  • 宽输入电压范围：5.5 V 至 80 V，瞬态耐受电压高达 100 V，持续时间为 500 ms
  • 可编程和预设 FET 有源 SOA 保护
  • 兼容英飞凌 OptiMOSTM 线性 FET，并可通过电阻搭接选择外部 FET
  • 集成栅极驱动器和电荷泵，用于外部 N 沟道 MOSFET
  • 先进的闭环 SOA 控制和全数字工作模式
  • 可配置的快速 FET 关断：两步关断或 1.5 A 下拉电流 PMBus 接口：1 MHz
  • 专用的 12 位电流和电压 ADC
  • 精密输入和输出电压监控和报告：≤1%
  • 精密 FET 电流监控和报告：≤ 1%
  • 精密输入功率监控和报告：≤ 2%
  • 能量监控和报告
  • 可编程输入和输出过压 (OV) 和欠压 (UV) 保护
  • 支持外部温度传感器和过温 (OT) 保护
  • 29 引脚 (6 mm x 6 mm) VQFN 封装

产品优势

  • 完整的系统保护和管理
  • 实时精确的系统测量
  • 动态灵活性和可编程性
  • 可靠的模拟核心，具有 PMBus 功率遥测功能
  • 数字配置减少了外部组件
  • 模拟辅助数字模式，支持旧系统
  • NVM 中的多个 SOA 配置文件缩短了设计时间
  • 输入瞬态和 MOSFET SOA 保护允许使用更小的 FET
  • 小型封装

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }