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圆满完成使命:英飞凌技术在“阿耳忒弥斯2号”太空飞行任务中再次证明其可靠性
商业财经新闻
- 在美国国家航空航天局(NASA)“阿耳忒弥斯2号(Artemis II)”猎户座(Orion)飞船为期十天的太空飞行任务中,英飞凌的抗辐射半导体全程零故障运行,表现出色。
- 自20世纪70年代以来,英飞凌的抗辐射技术已在数百次太空任务中证明了其可靠性。
- 凭借全球首款自主制造且通过JANS认证的抗辐射氮化镓(GaN)晶体管,英飞凌树立了航天半导体领域的新标杆。
【2026年4月15日,德国慕尼黑讯】美国国家航空航天局(NASA)的“阿耳忒弥斯2号(Artemis II)”飞船在圆满完成为期十天的太空飞行任务后成功返回地球。此次任务不仅完成了绕月飞行,更创下了载人飞船离地球最远的飞行纪录。四名宇航员已安全返航,这再次证明英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的抗辐射(rad-hard)半导体解决方案即使在极端的太空环境下也依然保持稳定可靠的性能。从关键的电源与控制系统到数据通信,英飞凌科技IR HiRel(高可靠性)部门的抗辐射器件为猎户座(Orion)飞船的核心电子系统提供了夯实的基础。
英飞凌科技高级副总裁兼IR HiRel业务总经理Mike Mills表示:“航天项目需要数十年如一日值得信赖的技术与合作伙伴。英飞凌是该领域至关重要的技术合作伙伴,我们十分自豪能再次为这项历史性的太空任务做出贡献。航天产业正在快速发展:任务变得更多、数据量变得更大、电气化程度也在不断提高,同时对尺寸、重量和功耗的要求也日益严苛。在此背景下,半导体正成为航天领域的核心支柱。在‘阿耳忒弥斯2号’任务中,英飞凌的器件从始至终都零故障运行,性能表现卓越。这绝非偶然的结果,而是基于数十年的工程技术专业知识积累、先进的验证流程以及对太空环境中半导体需求的深刻洞察。”
“阿耳忒弥斯2号”是英飞凌数十年航天传承的缩影。早在20世纪70年代,英飞凌IR HiRel部门的前身公司就为NASA和ESA(欧洲航天局)的太空计划提供了首批抗辐射元器件。此后,英飞凌的IR HiRel部门持续为数百次太空任务提供支持,包括导航卫星、国际空间站(ISS)以及如今的“阿耳忒弥斯”计划。英飞凌的抗辐射元器件已行至离地球200亿公里之外,这一距离超过了任何其他人造物体。作为该领域的技术先驱,英飞凌将持续投资、开发并生产性能卓越的抗辐射半导体,为全球的航天设计界提供支持。
太空环境对半导体的要求极为严苛。在地球的保护磁场范围之外,高能粒子会毫无阻碍地冲击电子元件,可能对其造成永久性损坏甚至彻底摧毁元件,从而导致任务失败。英飞凌的抗辐射技术并非依赖被动屏蔽,而是采用在设计上就具备抗辐射能力的半导体架构。英飞凌所有相关产品均通过了极为严格的国际航天标准认证,包括MIL-PRF-38535 V、MIL-PRF-19500、ESA的ESCC标准以及NASA的EEE-INST-002,保证了性能的可靠性。
英飞凌坚持从系统层面进行创新,实现了半导体技术、抗辐射验证与封装技术的有效协同。经过系统优化的方案不仅提升了电气性能,还显著改善了热管理与长期可靠性,同时实现了轻量化与小型化。在对重量高度敏感的航天领域,英飞凌的抗辐射器件具备决定性的系统级优势。
宽禁带技术:氮化镓(GaN)迈向新阶段
英飞凌还在积极推动新型半导体材料在太空中的应用。氮化镓(GaN)器件能够显著降低开关损耗,提高功率密度和开关频率,从而降低能源损耗以及对磁性元件的需求,从而直接减轻系统重量。依托自主生产能力及其保障的工艺与质量稳定性,英飞凌备受赞誉的抗辐射100V GaN晶体管已通过MIL-PRF-19500标准的JANS认证,将GaN从概念阶段转化为经实践验证、可用于严苛航天任务的成熟技术。这款通过JANS认证的产品是市场上首款且唯一一款由内部自主制造的抗辐射GaN晶体管。
英飞凌提供全面的抗辐射产品组合,涵盖硅基(Si)功率MOSFET、GaN晶体管、栅极驱动器、固态继电器以及抗辐射存储器和射频(RF)器件。凭借内部辐射测试能力及长期产品供应保障,英飞凌已经超越了单纯的元器件供应商角色,成为整个航天产业至关重要的技术合作伙伴。
英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约57,000名员工(截至2025年9月底),在2025财年(截至9月30日)的营收约为147亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的 OTCQX 国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。
Information Number : infxx202604-077