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概述

英飞凌推出了EiceDRIVER™ 2EDL8x2x 系列双通道结隔离栅极驱动器 IC，专为电信和数据通信 DC-DC 转换器等半桥应用中的中压功率 MOSFET 而设计。 设计人员可以在两种不同的上拉电流之间进行选择： - 3A 版本：它是改造设计的正确选择。- 4A版本：建议使用业界领先的版本，以减少MOSFET开关损耗。

主要特性
  • 集成 120 V 自举二极管
  • 低电阻轨到轨输出
  • 低边 3 A 上拉/6 A 下拉
  • 高边 3 A 上拉 -2EDL812X
  • 高边 5 A 下拉-2EDL812X
  • 高边 3 A/4 A 上拉 -2EDL803X
  • 高边 6 A 下拉 -2EDL803X
  • 2 ns 延迟匹配
  • 差分输入 -2EDL812X
  • 独立输入 -2EDL803X
  • 低死区时间损耗
  • 无引脚封装和引脚布局
应用
适用于电信基础设施的 DC-DC 电源转换
音频放大器解决方案

产品

关于

2EDL8XXX

2EDL8XXX 系列有两种不同的输入配置可供选择：
-2EDL803X 允许两个通道独立运行。 由于它可以减少续流阶段的损耗，因此是初级侧对角线驱动的全桥以及次级侧的同步整流级的理想选择。
- 2EDL812X 的差分输入结构使其成为具有内置击穿保护功能的半桥栅极驱动器，因而是采用非对角线驱动方案的主侧半桥级的理想选择。
2EDL8XXX 系列所有变体的共同特点是集成的 120 V 自举二极管以及精确的通道间传播延迟匹配（典型值为 2 ns），可确保伏秒平衡并避免磁芯饱和。

2EDL8XXX 产品系列采用不同的行业标准无引脚封装和引脚布局：既有最常见、使用最广泛的 VDSON-8 4x4、VDSON-10 4x4，也有更小尺寸、更高功率密度设计的 VSON-10 3x3。

优势

—无需外部自举二极管
—快速 MOSFET 开关
—强大的下拉电流可降低开关噪声造成的重启风险
—低死区时间损耗
—固有的击穿保护
— 8 V/+15 V 共模抑制

优势

-高功率密度
-高效率
-高 MOSFET 可靠性
-运行稳定

2EDL8XXX

2EDL8XXX 系列有两种不同的输入配置可供选择：
-2EDL803X 允许两个通道独立运行。 由于它可以减少续流阶段的损耗，因此是初级侧对角线驱动的全桥以及次级侧的同步整流级的理想选择。
- 2EDL812X 的差分输入结构使其成为具有内置击穿保护功能的半桥栅极驱动器，因而是采用非对角线驱动方案的主侧半桥级的理想选择。
2EDL8XXX 系列所有变体的共同特点是集成的 120 V 自举二极管以及精确的通道间传播延迟匹配（典型值为 2 ns），可确保伏秒平衡并避免磁芯饱和。

2EDL8XXX 产品系列采用不同的行业标准无引脚封装和引脚布局：既有最常见、使用最广泛的 VDSON-8 4x4、VDSON-10 4x4，也有更小尺寸、更高功率密度设计的 VSON-10 3x3。

优势

—无需外部自举二极管
—快速 MOSFET 开关
—强大的下拉电流可降低开关噪声造成的重启风险
—低死区时间损耗
—固有的击穿保护
— 8 V/+15 V 共模抑制

优势

-高功率密度
-高效率
-高 MOSFET 可靠性
-运行稳定

文档

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