利用高性能 IGBT 裸片加快汽车电气化进程

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是一种在电力电子领域发挥重要作用的半导体器件。IGBT 结合了 MOSFET 和双极晶体管的优点，可提供在各种应用中表现出色的高性能开关元件。

Infineons Si IGBT 和二极管技术专为满足汽车应用的苛刻要求而设计。我们的 Si IGBT 和二极管具有高电压和大电流承载能力以及高效的开关性能，是电动动力系统等各种汽车系统的最佳选择。

我们的 Si IGBT 和二极管注重可靠性、坚固性和优化的热性能，有助于推动未来汽车电气化的发展。

了解我们的 Si IGBT 和二极管解决方案系列，了解它们如何提升汽车设计的性能和效率！

市场洞察：硅裸片在汽车及其他领域的重要性与日俱增

在各行各业（尤其是汽车行业）对高能效解决方案的需求不断增长的推动下，Si IGBT 市场经历了大幅增长。硅裸片具有高电压和电流处理能力，适用于电机驱动器、逆变器和电源等广泛应用，因此已成为电力电子器件中的重要元件。

汽车行业越来越多地在电动汽车和混合动力汽车中采用硅裸模，因为在这些汽车中，高效的功率转换是最重要的。随着 Si IGBT 和二极管技术和封装的进步，这些器件将继续为汽车动力总成系统和电池管理提供具有成本效益的解决方案，为汽车的全面电气化做出贡献。

硅裸晶仍然是广泛的电力电子应用中具有成本效益的重要选择，是不断提高能效和可持续发展的基石。

市场洞察：硅裸片在汽车及其他领域的重要性与日俱增
市场洞察：硅裸片在汽车及其他领域的重要性与日俱增
市场洞察：硅裸片在汽车及其他领域的重要性与日俱增

在牵引变流器中使用硅裸片的优势

硅裸片具有电流承载能力强、开关速度快和成本效益高等优点，长期以来一直被用于直流供电的交流电机驱动器中。这些器件具有额定电压高、大电流时导通损耗低等特殊优势，似乎非常适合大功率电机驱动应用。

硅裸片由于具有双极传导特性，因此在高负载时传导损耗较低，这在许多应用中是决定芯片尺寸的设计要点，从而使 IGBT 和二极管成为极具吸引力的选择。

因此，Si IGBT 裸片是一种令人感兴趣的选择，尤其是在需要在高负载电流下实现系统成本效益的应用中。这包括二级（"升压轴"）逆变器和电池容量较小的汽车。

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Si 裸片优势一览

  • 最大输出电流：特别是在高负载条件下（例如Si IGBT 具有低损耗，因此可以处理高输出电流。
  • 成本效益高：与碳化硅 MOSFET 等其他功率半导体器件相比，硅 IGBT 通常更具成本效益，因此成为成本是首要考虑因素的应用的首选。
  • 成熟的制造基础设施：硅 IGBT 的生产工艺已经非常成熟，因此生产和供应链的可靠性始终如一。
  • 坚固耐用：硅 IGBT 在各种应用中，尤其是在对坚固性要求极高的工业和汽车系统中，表现出了强大的性能。
  • 易于驱动和控制：Si IGBT 广为人知且易于控制，因此更适合某些应用。
  • Si IGBT 可实现无振荡的平滑开关，为设计人员带来电磁兼容性 (EMC) 方面的优势。

市场要求

就市场对 Si IGBT 裸片的要求而言，汽车、可再生能源、工业自动化和消费电子等各行各业对高效可靠的电源开关解决方案的需求日益增长。随着市场对高能效设备的需求日益增长，以及向电动汽车和可再生能源的过渡，市场对既能承受高电压和电流，又能保持低损耗和高可靠性的高性能硅 IGBT 提出了巨大需求。

德累斯顿清洁室-300 毫米
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价值主张

为了满足这些市场需求，我们的 EDT3 750V 的价值主张在于它能够提供高电压和电流处理能力，同时具有较低的传导和开关损耗。这对于需要高效功率转换和控制的应用（如电机驱动器、变频器和电源）来说至关重要。此外，与其他技术相比，我们的 EDT3 750V 提供了一种具有成本效益的解决方案，使其成为旨在优化产品性能和成本效益的制造商的一个极具吸引力的选择。

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市场要求

工业和汽车系统对能效、可靠性和紧凑性的要求不断提高，推动了对高性能功率半导体器件的需求。我们的 EDT3 1200V Si IGBT 和二极管旨在满足这些市场需求，提供高压能力、低损耗和坚固性的独特组合。

在汽车领域，我们的 1200V Si 裸芯片特别适用于电动汽车充电系统、牵引逆变器和其他大功率应用，其高电压能力和低损耗确保了高效可靠的运行。

200 毫米晶圆
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价值定位

EDT3 1200V Si 裸芯片的价值主张在于它能够提供高性能、高可靠性和高灵活性，同时降低系统复杂性和成本。凭借其优化的设计和先进的制造工艺，该器件实现了低导通损耗和开关损耗、高短路耐受性和优异的热性能的完美平衡。 这使系统设计人员能够开发出更高效、紧凑和可靠的系统，同时减少总体物料清单和开发时间。

您很快就能在这里找到有关我们新产品的更多信息！敬请期待！

市场要求

对高可靠性和容错功率半导体器件的需求日益增长，推动了对先进 IGBT 技术的需求。我们的 1200V RC-IGBT 旨在满足这些市场需求，提供高压能力、低损耗以及卓越的坚固性和可靠性的独特组合。

在汽车领域，我们的 1200V RC-IGBT 尤其适用于电动汽车充电系统、牵引逆变器和其他大功率应用，其高压能力和优异的坚固性确保了可靠的运行。

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价值主张

我们的 1200V RC-IGBT 的价值主张在于它能够提供高可靠性、坚固性和容错性，同时降低系统复杂性和成本。该器件采用先进的反向导通IGBT（RC-IGBT）设计，具有低导通损耗和开关损耗、高短路耐受性和优异的热性能等独特优势。这使系统设计人员能够开发出更可靠、更紧凑、更高效的系统，同时减少总体物料清单和开发时间。

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利用高性能 IGBT 裸片加快汽车电气化进程

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是一种在电力电子领域发挥重要作用的半导体器件。IGBT 结合了 MOSFET 和双极晶体管的优点，可提供在各种应用中表现出色的高性能开关元件。

Infineons Si IGBT 和二极管技术专为满足汽车应用的苛刻要求而设计。我们的 Si IGBT 和二极管具有高电压和大电流承载能力以及高效的开关性能，是电动动力系统等各种汽车系统的最佳选择。

我们的 Si IGBT 和二极管注重可靠性、坚固性和优化的热性能，有助于推动未来汽车电气化的发展。

了解我们的 Si IGBT 和二极管解决方案系列，了解它们如何提升汽车设计的性能和效率！

市场洞察：硅裸片在汽车及其他领域的重要性与日俱增

在各行各业（尤其是汽车行业）对高能效解决方案的需求不断增长的推动下，Si IGBT 市场经历了大幅增长。硅裸片具有高电压和电流处理能力，适用于电机驱动器、逆变器和电源等广泛应用，因此已成为电力电子器件中的重要元件。

汽车行业越来越多地在电动汽车和混合动力汽车中采用硅裸模，因为在这些汽车中，高效的功率转换是最重要的。随着 Si IGBT 和二极管技术和封装的进步，这些器件将继续为汽车动力总成系统和电池管理提供具有成本效益的解决方案，为汽车的全面电气化做出贡献。

硅裸晶仍然是广泛的电力电子应用中具有成本效益的重要选择，是不断提高能效和可持续发展的基石。

市场洞察：硅裸片在汽车及其他领域的重要性与日俱增
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在牵引变流器中使用硅裸片的优势

硅裸片具有电流承载能力强、开关速度快和成本效益高等优点，长期以来一直被用于直流供电的交流电机驱动器中。这些器件具有额定电压高、大电流时导通损耗低等特殊优势，似乎非常适合大功率电机驱动应用。

硅裸片由于具有双极传导特性，因此在高负载时传导损耗较低，这在许多应用中是决定芯片尺寸的设计要点，从而使 IGBT 和二极管成为极具吸引力的选择。

因此，Si IGBT 裸片是一种令人感兴趣的选择，尤其是在需要在高负载电流下实现系统成本效益的应用中。这包括二级（"升压轴"）逆变器和电池容量较小的汽车。

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Si 裸片优势一览

  • 最大输出电流：特别是在高负载条件下（例如Si IGBT 具有低损耗，因此可以处理高输出电流。
  • 成本效益高：与碳化硅 MOSFET 等其他功率半导体器件相比，硅 IGBT 通常更具成本效益，因此成为成本是首要考虑因素的应用的首选。
  • 成熟的制造基础设施：硅 IGBT 的生产工艺已经非常成熟，因此生产和供应链的可靠性始终如一。
  • 坚固耐用：硅 IGBT 在各种应用中，尤其是在对坚固性要求极高的工业和汽车系统中，表现出了强大的性能。
  • 易于驱动和控制：Si IGBT 广为人知且易于控制，因此更适合某些应用。
  • Si IGBT 可实现无振荡的平滑开关，为设计人员带来电磁兼容性 (EMC) 方面的优势。

市场要求

就市场对 Si IGBT 裸片的要求而言，汽车、可再生能源、工业自动化和消费电子等各行各业对高效可靠的电源开关解决方案的需求日益增长。随着市场对高能效设备的需求日益增长，以及向电动汽车和可再生能源的过渡，市场对既能承受高电压和电流，又能保持低损耗和高可靠性的高性能硅 IGBT 提出了巨大需求。

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价值主张

为了满足这些市场需求，我们的 EDT3 750V 的价值主张在于它能够提供高电压和电流处理能力，同时具有较低的传导和开关损耗。这对于需要高效功率转换和控制的应用（如电机驱动器、变频器和电源）来说至关重要。此外，与其他技术相比，我们的 EDT3 750V 提供了一种具有成本效益的解决方案，使其成为旨在优化产品性能和成本效益的制造商的一个极具吸引力的选择。

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市场要求

工业和汽车系统对能效、可靠性和紧凑性的要求不断提高，推动了对高性能功率半导体器件的需求。我们的 EDT3 1200V Si IGBT 和二极管旨在满足这些市场需求，提供高压能力、低损耗和坚固性的独特组合。

在汽车领域，我们的 1200V Si 裸芯片特别适用于电动汽车充电系统、牵引逆变器和其他大功率应用，其高电压能力和低损耗确保了高效可靠的运行。

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价值定位

EDT3 1200V Si 裸芯片的价值主张在于它能够提供高性能、高可靠性和高灵活性，同时降低系统复杂性和成本。凭借其优化的设计和先进的制造工艺，该器件实现了低导通损耗和开关损耗、高短路耐受性和优异的热性能的完美平衡。 这使系统设计人员能够开发出更高效、紧凑和可靠的系统，同时减少总体物料清单和开发时间。

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对高可靠性和容错功率半导体器件的需求日益增长，推动了对先进 IGBT 技术的需求。我们的 1200V RC-IGBT 旨在满足这些市场需求，提供高压能力、低损耗以及卓越的坚固性和可靠性的独特组合。

在汽车领域，我们的 1200V RC-IGBT 尤其适用于电动汽车充电系统、牵引逆变器和其他大功率应用，其高压能力和优异的坚固性确保了可靠的运行。

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我们的 1200V RC-IGBT 的价值主张在于它能够提供高可靠性、坚固性和容错性，同时降低系统复杂性和成本。该器件采用先进的反向导通IGBT（RC-IGBT）设计，具有低导通损耗和开关损耗、高短路耐受性和优异的热性能等独特优势。这使系统设计人员能够开发出更可靠、更紧凑、更高效的系统，同时减少总体物料清单和开发时间。

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