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概述

L5 低饱和电压 (VCE(sat)) TRENCHSTOP™ 5 IGBT 系列针对 50 Hz 至 20 kHz 的低开关频率进行了优化。30 A IGBT 的 VCE(sat) 低至 1.05 V，在 cos φ <1 时无功功率模式的开关损耗最低，电气参数的热稳定性高。通过优化载流子剖面，55 微米 TRENCHSTOP™ 5 薄晶片技术使导通损耗进一步降低。

主要特性
  • 最低饱和压降VCE(sat)
  • 低开关损耗
  • 高热稳定性
  • 提高效率
应用
不间断电源 (UPS)
光伏

产品

关于

最佳性能和高热稳定性

VCE(sat) 具有正温度系数，在 25°C 至 175°C 的温度变化范围内仅有 2% 的漂移，便于并联，从而保持较高的效率。L5 IGBT 的高效率和低开关损耗简化了热管理，可减少冷却基础设施，使用更少的散热器和更小的风扇，从而显著降低制造成本。

主要特性

TRENCHSTOP™ 5 L5 具有重要的关键特性，如最低饱和压降VCE(sat) 仅为 1.05 V，30 A IGBT 在 25°C 时的开关损耗低至 1.6 mJ，电气参数具有较高的热稳定性(Tj 从 25°C 升至 175°C 时仅有 2% 的漂移)，TO-247 4 pin开尔文发射极封装的效率更高，开关损耗降低了 20%。

主要优势

其主要优点包括：50 Hz 的效率更高、IGBT 的使用寿命更长、可靠性更高，以及稳定的散热性能带来的高设计可靠性。

最佳性能和高热稳定性

VCE(sat) 具有正温度系数，在 25°C 至 175°C 的温度变化范围内仅有 2% 的漂移，便于并联，从而保持较高的效率。L5 IGBT 的高效率和低开关损耗简化了热管理，可减少冷却基础设施，使用更少的散热器和更小的风扇，从而显著降低制造成本。

主要特性

TRENCHSTOP™ 5 L5 具有重要的关键特性，如最低饱和压降VCE(sat) 仅为 1.05 V，30 A IGBT 在 25°C 时的开关损耗低至 1.6 mJ，电气参数具有较高的热稳定性(Tj 从 25°C 升至 175°C 时仅有 2% 的漂移)，TO-247 4 pin开尔文发射极封装的效率更高，开关损耗降低了 20%。

主要优势

其主要优点包括：50 Hz 的效率更高、IGBT 的使用寿命更长、可靠性更高，以及稳定的散热性能带来的高设计可靠性。

文档

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