EVAL_1EDF_G1_HB_GAN

CoolGaN ™ 600V e-mode HEMT 半桥评估平台，采用 GaN EiceDRIVER ™

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EVAL_1EDF_G1_HB_GAN
EVAL_1EDF_G1_HB_GAN

商品详情

  • Pout
    0 W to 2500 W
  • Board Type
    Evaluation Board
  • Product Name
    EVAL_1EDF_G1_HB_GAN
  • Supply Voltage
    0 V to 450 V
  • Dimensions
    75 x 75 x 40 mm³
  • Topology
    Boost, Buck, Half Bridge, LLC
  • Interfaces
    MMCX, Pluggable terminal block (Supplied)
  • Target Application
    Power Supplies
  • Family
    CoolGaN™ EiceDRIVER™
  • Qualification
    Industrial
  • Input Type
    DC
  • Output Voltage
    0 V to 450 V
  • Output Current
    0 A to 35 A
  • Frequency
    0 MHz to 3 MHz
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
600V 氮化镓 (GaN) 半桥评估板可快速设置和测试 CoolGaN ™晶体管，以实现升压、降压、脉冲或连续全功率操作。其惯性驱动器和电源电路设计，可提供高达 12A 的连续电流、35A 的最高电流和几 MHz 的工作频率。

特性

  • 采用GaN驱动器IC的GaN半桥
  • 数MHz开关频率
  • 零反向恢复
  • 硬开关和软开关之间切换
  • 顶部冷却、功率耗散

产品优势

  • 轻松设置和使用
  • 可进行多种配置
  • GaN高频评估
  • 评估：LR、过冲、EMI
  • 多千瓦功率水平评估

应用

Bill of Material

文档

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设计资源

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