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GS-EVM-HB-650V150A-SP1
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GS-EVM-HB-650V150A-SP1

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650 V 150 A GaN半桥智能功率模块

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GS-EVM-HB-650V150A-SP1
GS-EVM-HB-650V150A-SP1
  • 系列
    CoolGaN™
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
GS-EVM-HB-650V150A-SP1 是一款带有集成栅极驱动器的 650 V 150 A 半桥智能功率模块。它提供超低 ESW(开关损耗)、集成栅极驱动、超小系统尺寸和低 RDS(on)。该模块专为高效高开关频率应用而设计,例如光伏逆变器、储能系统、UPS、VFD 和其他通用用途。

特性

  • 包括 2x GS-065-150-1-D
  • 隔离式集成栅极驱动
  • 超低 0.2 0C/W RQ_JUNC_PLATE

产品优势

  • 低开关损耗
  • 超小型系统外形
  • 低RDS(on)
文档

设计资源