英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列，提升大功率应用中的功率密度

产品新闻

17/10/2025

【2025年10月17日, 德国慕尼黑讯】电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠运行、在应对瞬态过载时如何保持稳定性，以及如何优化整体系统性能。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列。该器件支持更高的直流母线电压，可实现更优异的热性能、更小的系统尺寸，以及更高的可靠性。

该封装技术支持在 260°C 温度下进行多达三次回流焊操作，并可在结温高达 200°C 的条件下实现可靠运行，同时确保出色的峰值电流能力。借助英飞凌.XT 互联技术，这些器件在严苛的应用环境下，依旧可实现更优的热性能以及更强的机械可靠性。全新 1400 V 电压等级为更快的开关速度提供了额外裕量，并简化了过压保护措施。这有助于降低对功率降额使用的需求，同时提升整个系统的可靠性。

采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2，其导通电阻（RDS(on)）等级涵盖6 至 29 毫欧（mΩ），适用于对高功率密度要求严苛的应用场景，例如商用、工程和农用车辆（CAVs）、电动汽车充电以及电池储能系统。英飞凌还提供采用高爬电距离 TO-247-4 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1400 V 系列。该产品组合的RDS(on) 等级范围为11至38mΩ，其器件同样适用于光伏等应用场景。

 
供货情况
采用 TO-247PLUS-4 回流焊封装与 TO-247-4 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1400 V G2 系列现已上市。更多信息请访问：www.infineon.com/part/IMYR140R006M2H。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,060名员工（截至2024年9月底），在2024财年（截至9月30日）的营收约为150亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。

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英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列，适用于电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景。

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Veronika Seifried

零碳工业功率事业部、工业与基础设施业务发言人

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