1ED020I12-B2
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

1ED020I12-B2

具有 UL 认证、有源米勒钳位、DESAT 和短路钳位的 1200 V 单高侧栅极驱动器 IC
数据手册
封装
评估板

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1ED020I12-B2
1ED020I12-B2
数据手册


商品详情

  • VBS UVLO (On)
    11.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    3.8 V
  • VCC UVLO (On)
    4.1 V
  • 关断传播延迟
    165 ns
  • 开通传播延迟
    170 ns
  • 拓扑结构
    High-side
  • 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 输出电流 (Source)
    2 A
  • 输出电流 (Sink)
    2 A
  • 通道
    1
  • 隔离类型
    Galvanic isolation - Basic

OPN
1ED020I12B2XUMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 N/A
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 -
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™ 1200 V 电流隔离单通道栅极驱动器，采用 DSO-16 宽体封装，提供通常为 2 A 的输出电流能力。所有逻辑引脚均兼容 5 V CMOS，可直接连接到微控制器。通过集成无芯变压器技术实现跨电流隔离的数据传输。1ED-B2 提供多种保护功能，如 IGBT 去饱和保护、有源米勒钳位和有源关断。

特性

  • 单通道隔离栅极驱动器
  • 适用于高达 1200 V 的 Si 和 SiC 开关
  • 2 A 轨至轨典型输出电流
  • 精确的 DESAT 保护
  • 有源米勒钳位
  • 短路钳位
  • 最大 28 V。输出电源电压
  • 170/165 ns 典型值。传播延迟
  • 12/11 V 输出 UVLO
  • ≥ 100 kV/µs CMTI
  • 根据 UL 1577 认证
  • 基本隔离。经过测试。VDE 0884-10

产品优势

  • 紧密的传播延迟匹配：容差提高了应用的稳健性，而不会因老化、电流和温度而发生变化
  • 精密的集成滤波器可减少各种工作条件下的传播延迟变化；减少对外部滤波器的需求
  • 紧密的传播延迟可实现最短的死区时间，从而提高系统效率并降低谐波失真
  • 宽体封装，爬电距离为 8 毫米
  • 对正向和负向瞬变具有免疫力，可提高最终产品的可靠性
  • 切换频率至 MHz 范围时功率损耗低

图表

Circuit_diagram_1ED020I12-B2
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Circuit_diagram_1ED020I12-B2 Circuit_diagram_1ED020I12-B2 Circuit_diagram_1ED020I12-B2
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