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符合RoHS标准
无铅

1ED3330MC12M

5.7kV (rms) 单通道电流隔离栅极驱动器 IC,具有 DESAT、有源米勒钳位驱动器、软关断、UVLO 和故障关断功能

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1ED3330MC12M
1ED3330MC12M

商品详情

  • Iq1 max
    3 mA
  • Iq2 max
    3 mA
  • PD输出
    654 mW
  • RDSON_H(典型值)
    0.45 Ω
  • RDSON_L(典型值)
    0.25 Ω
  • RDSON_L(最大值)
    0.55 Ω
  • RthJA
    130 K/W
  • VBS UVLO (Off)
    12.15 V
  • VBS UVLO (On)
    14 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.5 V
  • VCC UVLO (On)
    3 V
  • 产品名称
    1ED3330MC12M
  • 关断传播延迟
    70 ns
  • 导通电阻 (RDSON_H)(最大值)
    1.05 Ω
  • 封装
    PG-DSO-16-33
  • 开通传播延迟
    70 ns
  • 电压等级
    2300 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    3 V to 5.5 V
  • 输出电流 (Sink)
    12 A
  • 输出电流 (Source)
    12 A
  • 通道数
    1
  • 配置
    High-side
  • 隔离类型
    Galvanic isolation - Reinforced
OPN
1ED3330MC12MXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 N/A
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™增强型 5.7 kV 单通道隔离栅极驱动器 IC,具有 ±12 A 典型灌电流和源峰值输出电流,采用节省空间的小型 DSO-16 细间距宽体封装,具有大爬电距离(>8 mm),非常适合 SiC MOSFET。栅极驱动器 IC 还包括集成保护功能,例如 DESAT 保护、有源米勒钳位驱动器和 SiC MOSFET 的主动关断。

特性

  • 集成保护功能
  • +/-12 A
  • 典型峰值输出电流 独立的源输出和接收器输出
  • 35 V 绝对最大输出电压
  • SiC MOSFET
  • 的 UVLO 快速 DESAT 检测和通知
  • 3.3V 和 5 V 输入电源
  • 高 CMTI >200 kV/us
  • DSO 300 mil 封装,间距 0.65
  • 小巧节省空间的包装
  • 米勒钳位驱动器

产品优势

  • 非常适合驱动 SiC 的输出电流
  • 降低电路复杂性
  • 占用空间小,可优化 PCB
  • 快速短路报告
  • 通过 FLT 引脚关闭
  • 紧密延迟匹配,实现低死区时间

文档

设计资源

开发者社区

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