在产
符合RoHS标准
无铅

1EDN7136U

适用于 GaN SG HEMT 和 MOSFET 的 200 V 高侧 TDI 栅极驱动器 IC
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

1EDN7136U
1EDN7136U
每件.

商品详情

  • VCC UVLO
    3.75 V
  • Turn Off Propagation Delay
    105 ns
  • Package
    PG-TSNP-7
  • Turn On Propagation Delay
    105 ns
  • Voltage Class
    200 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    4.2 V to 11 V
  • Output Current (Source)
    1 A
  • Output Current (Sink)
    1 A
  • Output Current
    1 A
  • Channels
    1
  • Configuration
    High-side
OPN
1EDN7136UXTSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 N/A
包装尺寸 4500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
包装尺寸 4500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
1EDN71x6Gx 是单通道栅极驱动芯片系列,针对英飞凌  CoolGaN™  SG HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和硅 MOSFET 进行了优化。 该栅极驱动器包含几个关键特性,可通过快速开关晶体管实现高性能系统设计,包括真正差分输入 (TDI)、1 A 峰值源电流和灌电流、有源米勒钳位和自举电压钳位。

特性

  • 全差分逻辑输入电路,可避免低侧或高侧操作中的误触发
  • 高共模输入电压范围 (CMR),高侧操作时高达 ± 200 V
  • 高共模压摆率 (100 V/ns) 抗扰度,可在快速开关瞬变期间实现稳健运行
  • 兼容 3.3 V 或 5 V 输入逻辑
  • 1 A 拉/灌电流能力
  • 有源米勒钳位,具有 5 A 灌电流能力,可避免感应导通
  • 有源自举钳位
  • 适用于驱动 GaN HEMT 或 Si MOSFET
  • 已根据 JEDEC 目标应用认证

产品优势

  • 快速开关转换期间实现高侧驱动和低侧接地反弹抗扰度
  • 通过选择 1EDN71x6x 系列驱动器,无需外部栅极电阻即可优化开关速度
  • 快速开关转换期间实现感应导通抗扰度
  • 通过消除死区时间内自举电容的过度充电,实现稳压自举电压

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }