现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2ED1323S12P

具有 AMC（有源米勒钳位）、SCC（短路钳位）的 1200 V 高侧/低侧栅极驱动器 IC
数据手册
封装
每件.
有存货

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2ED1323S12P
2ED1323S12P
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    11.3 V
  • VBS UVLO (On)
    12.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    11.3 V
  • VCC UVLO (On)
    12.2 V
  • 产品名称
    2ED1323S12P
  • 关断传播延迟
    350 ns
  • 开通传播延迟
    350 ns
  • 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc min
    13 V
  • 输出电流 (Sink)
    2.3 A
  • 输出电流 (Source)
    2.3 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    High-side and low-side
  • 隔离类型
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
推荐的
OPN
2ED1323S12PXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-20
封装名 N/A
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-20
封装名 -
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
EiceDRIVER ™ 1200 V 高侧/低侧栅极驱动器 IC，具有 2.3 A 拉电流、2.3 A 灌电流，具有足够的爬电距离、间隙距离 DSO-20 (300mils) 封装，适用于 1200 V SiC MOSFET 和 IGBT 功率器件。2ED1323S12P 支持有源米勒钳位 (AMC) 和短路钳位 (SCC)，可在足够的爬电距离/间隙距离封装 DSO-20 中实现最佳的开关性能。基于所使用的 SOI 技术，它对瞬态电压具有出色的耐受性。由于该器件不包含寄生晶闸管结构，因此该设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有非常强的抵抗力。

特性

  • 独特的薄膜（SOI）技术
  • 用于引导操作的浮动通道。
  • 最大。靴子。伏特。（VB 节点）+1225 V
  • 工作电压 < + 1200 V
  • 负 VS 瞬态电压。免疫力
  • 2.3A/2.3峰值输出源/接收器
  • 集成过流保护
  • ± 5% 高精度。参考阈值
  • 小于 1 us 的过流感应
  • 集成有源米勒钳位
  • 集成。短路钳位功能。
  • 积分。超快速自举二极管

图表

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