现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2ED2101S06F

带有集成自举二极管的 650 V 高侧和低侧栅极驱动器
数据手册
封装
每件.
有存货

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2ED2101S06F
2ED2101S06F
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8 V
  • 产品名称
    2ED2101S06F
  • 关断传播延迟
    90 ns
  • 封装
    PG-DSO-8
  • 开通传播延迟
    90 ns
  • 电压等级
    650 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    10 V to 20 V
  • 输出电流 (Source)
    0.29 A
  • 输出电流 (Sink)
    0.7 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    High-side and low-side
  • 隔离类型
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
推荐的
OPN
2ED2101S06FXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
650 V 高速、高端和低端栅极驱动器，采用 DSO-8 封装，具有典型的 0.29 A 拉电流和 0.7 A 灌电流，用于驱动功率 MOSFET 和 IGBT。基于我们的 SOI 技术，2ED2101S06F 具有出色的坚固性和抗 VS 引脚上负瞬态电压的抗噪能力。由于器件中不存在寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。

特性

  • 操作。电压（VS 节点）< + 650 V
  • 负。VS 瞬态抗扰度为 100 V
  • Integr.超快速自举二极管
  • 90 ns 传播延迟
  • HIN，LIN 逻辑输入
  • 用于自举操作的浮动通道
  • 两个通道的独立 UVLO
  • 逻辑操作在 VS 引脚上高达 -11 V
  • Neg.输入电压容差为 -5 V
  • 最大供电电压为 25 V
  • 3.3,5 和 15 V 输入逻辑兼容。

图表

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