现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2ED21094S06J

650 V、0.7 A 半桥栅极驱动器，集成自举二极管和关断功能，采用 DSO-14 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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2ED21094S06J
2ED21094S06J
每件.
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商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    7.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    9.1 V
  • Turn Off Propagation Delay
    200 ns
  • Turn On Propagation Delay
    740 ns
  • Voltage Class
    650 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    10 V to 20 V
  • Output Current (Sink)
    0.7 A
  • Output Current (Source)
    0.29 A
  • Channels
    2
  • Configuration
    Half Bridge
  • Isolation Type
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
受到推崇的
OPN
2ED21094S06JXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-14
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-14
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
650 V 半桥高速功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，采用 DSO-14 封装，典型值为 0.29 拉电流和 0.7 灌电流。较小的 DSO-8 封装版本也可用：2ED2109S06F。基于英飞凌的 SOI 技术，具有出色的坚固性和对 VS 引脚上的负瞬态电压的抗噪能力。器件中不存在寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。

特性

  • 操作。电压（VS 节点）< + 650 V
  • 负。VS 瞬态抗扰度为 100 V
  • Integr.超快速自举二极管
  • 用于自举操作的浮动通道
  • 高低压引脚分离
  • 独立的逻辑和电源地
  • 两个通道独立的UVLO
  • IN、/SD逻辑输入
  • 可编程死区时间
  • 740 / 200 ns传播延迟
  • 最大供电电压25 V
  • VS引脚上的逻辑操作电压高达-11 V

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