现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2ED2181S06F

650 V、2.5 A 高电流高端和低端栅极驱动器 IC，采用 DSO-8 封装，集成自举二极管
数据手册
封装
每件.
有存货

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2ED2181S06F
2ED2181S06F
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    7.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    9.1 V
  • Turn Off Propagation Delay
    200 ns
  • Turn On Propagation Delay
    200 ns
  • Voltage Class
    650 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    10 V to 20 V
  • Output Current (Sink)
    2.5 A
  • Output Current (Source)
    2.5 A
  • Channels
    2
  • Configuration
    High-side and low-side
  • Isolation Type
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
受到推崇的
OPN
2ED2181S06FXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
650 V 高侧和低侧栅极驱动器具有高电流和高速特性，可驱动 MOSFET 和 IGBT，DSO-8 封装中典型的灌电流和拉电流为 2.5 A。还提供爬电距离更大的 DSO-14 封装版本：2ED21814S06J。基于英飞凌的 SOI 技术，具有出色的坚固性和对 VS 引脚上负瞬态电压的抗噪能力。器件中不存在寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。

特性

  • 操作。电压（VS 节点）< + 650 V
  • 负。VS 瞬态抗扰度为 100 V
  • Integr.超快速自举二极管
  • 用于自举操作的浮动通道
  • 最大电源电压 25 V
  • 两个通道均具有独立的 UVLO
  • 200 ns 传播延迟
  • HIN、LIN 输入逻辑
  • VS 引脚上的逻辑操作电压高达 -11 V
  • Neg.输入电压容差为 –5 V
  • 适用于高侧开关

图表

Block_2ED2181S06F
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