现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2ED2182S06F

650 V、2.5 A 高电流半桥栅极驱动器 IC，集成自举二极管，采用 DSO-8 封装
数据手册
封装
评估板

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2ED2182S06F
2ED2182S06F
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    7.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    9.1 V
  • 产品名称
    2ED2182S06F
  • 关断传播延迟
    200 ns
  • 开通传播延迟
    200 ns
  • 电压等级
    650 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    10 V 至 20 V
  • 输出电流 (Sink)
    2.5 A
  • 输出电流 (Source)
    2.5 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    Half-Bridge
  • 隔离类型
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
推荐的
OPN
2ED2182S06FXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
650 V 半桥高速功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，采用 DSO-8 封装，典型灌电流和拉电流为 2.5 A。DSO-14 封装版本也可用：2ED21824S06J。基于我们的英飞凌 SOI 技术，具有出色的坚固性和对 VS 引脚上的负瞬态电压的抗噪能力。器件中不存在寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。

特性

  • 操作。电压（VS 节点）< + 650 V
  • 负。VS 瞬态抗扰度为 100 V
  • Integr.超快速自举二极管
  • 用于自举操作的浮动通道
  • 集成直通保护
  • 最大电源电压 25 V
  • 两个通道均具有独立的 UVLO
  • 200 ns 传播延迟
  • HIN、LIN 输入逻辑
  • VS 引脚上的逻辑操作高达 -11 V
  • Neg.输入电压容差为 –5 V
  • 适用于高侧开关

图表

Block_2ED2182S06F
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