2ED2304S06F
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2ED2304S06F

集成自举二极管 (BSD) 的 650 V 半桥栅极驱动器 IC
数据手册
封装
评估板

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2ED2304S06F
2ED2304S06F
数据手册
  • VBS UVLO (Off)
    8.3 V
  • VBS UVLO (On)
    9.1 V
  • VCC UVLO (On)
    9.1 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.3 V
  • 产品名称
    2ED2304S06F
  • 关断传播延迟
    300 ns
  • 开通传播延迟
    310 ns
  • 电压等级
    650 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    10 V 至 17.5 V
  • 输出电流 (Source)
    0.36 A
  • 输出电流 (Sink)
    0.7 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    Half-Bridge
  • 隔离类型
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
推荐的
OPN
2ED2304S06FXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 N/A
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 -
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™ 650 V SOI 半桥栅极驱动器 IC，带有集成自举二极管，采用 DSO-8 封装，具有 0.36 A 拉电流和 0.7 A 灌电流。 它具有出色的坚固性和抗噪性。施密特触发逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。浮动通道可用于驱动高端配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT。

特性

  • 薄膜 SOI 技术
  • 可在 +650 V 失调电压下运行。
  • 积分。超快速自举二极管
  • 输出源电流电容。+0.36 A
  • 输出灌电流容量。-0.7 A
  • 容忍负面。瞬态电压。
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 独立欠压锁定
  • 短传播延迟
  • 施密特触发输入
  • 3.3,5 和 15 V 输入逻辑兼容。
  • DSO-8，符合 RoHS 标准的封装

图表

Circuit_diagram_2ED2304S06F
Circuit_diagram_2ED2304S06F
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