现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2ED28073J06F

集成自举二极管 (BSD) 的 600 V 半桥栅极驱动器 IC
数据手册
封装
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2ED28073J06F
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数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    7.7 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • 产品名称
    2ED28073J06F
  • 关断传播延迟
    530 ns
  • 开通传播延迟
    530 ns
  • 电压等级
    600 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    10 V to 20 V
  • 输出电流 (Source)
    0.02 A
  • 输出电流 (Sink)
    0.08 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    Half Bridge
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
推荐的
OPN
2ED28073J06FXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
600 V 半桥栅极驱动器 IC 带有集成自举二极管，具有典型的 0.02 A 拉电流和 0.08 A 灌电流，采用 DSO-8 封装，用于驱动 MOSFET，包括快速体二极管 CoolMOS PFD7 超结 MOSFET 和 IGBT。 这是一种高压、高速功率驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。

特性

  • 否定。 VS 瞬态抗扰度为 70 V
  • 较低的 di/dt 栅极驱动器
  • 用于自举操作的浮动通道
  • 操作。电压（VS 节点）< + 600 V
  • 最大。自举电压。+ 625 V
  • 集成自举二极管
  • 集成直通保护
  • 集成短脉冲
  • 独立欠压锁定
  • 施密特触发输入
  • 3.3,5 和 15 V 输入逻辑兼容。
  • 最大供电电压 25 V

图表

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