2EDL5012AA-U2D
新品
即将推出
符合RoHS标准
无铅

2EDL5012AA-U2D

新品
2EDL5012AA-U2D 是一款 120V 半桥栅极驱动器，设计用于驱动 GaN 晶体管以及逻辑电平 MOSFET。
数据手册

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2EDL5012AA-U2D
2EDL5012AA-U2D
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商品详情

  • Iout 范围
    1.5 A 至 4 A
  • 封装
    PG-TSNP-12-6, 2 x 2 mm
  • 拓扑结构
    High & Low Side Driver
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入信号电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 输出电压 范围
    0 V 至 5.5 V
  • 输出的数量
    2
OPN
2EDL5012AAU2DXTMA1
产品状态 coming soon
英飞凌封装名称 PG-TSNP-12
封装名 N/A
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 coming soon
英飞凌封装名称 PG-TSNP-12
封装名 -
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
2EDL5012AA-U2D 是一款半桥栅极驱动器，适用于同步降压或半桥电路架构，可驱动高边和低边的增强型GaN晶体管以及逻辑电平Mosfets。 2EDL5012AA-U2D 具有从 1.5A peak 到 4A peak 的不同输出电流能力，采用 TSNP-12 引脚 2 mm x 2 mm 封装。

特性

  • 双独立输入
  • 高低边驱动器的 UVLO功能
  • 集成自举开关
  • 有源自举开关
  • 最大自举电压为 120 V
  • 分离式输出，提升输出驱动能力
  • 4 A/4 A、1.5 A/4 A 和 1.5 A/1.5 A
  • 内置有源米勒钳位
  • 20 ns 典型传播延迟
  • 1 ns 典型传播延迟匹配
  • 4.5 V 至 5.5 V 电源电压范围
  • 采用 TSNP-12 2x2 封装

产品优势

支持多种功率拓扑，方案紧凑且散热能力强，适用于大功率应用，可灵活满足各类客户需求。
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区