2EDL901G3
即将推出
符合RoHS标准
无铅

2EDL901G3

EiceDRIVER™ 120 V 电平转换栅极驱动芯片，专为驱动中压氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的双高端、双低端或半桥拓扑结构而设计。
数据手册

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2EDL901G3
2EDL901G3
数据手册

商品详情

  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    3.8 V 至 13.2 V
  • 输出电压 范围
    0 V 至 5.5 V
  • 最高 输出电流
    1.6 A
  • 通道数
    2
OPN
2EDL901G3XTMA1
产品状态 coming soon
英飞凌封装名称 PG-TSNP-16
封装名 N/A
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 coming soon
英飞凌封装名称 PG-TSNP-16
封装名 -
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER™ 2EDL901G3 是一款双通道电平转换栅极驱动 IC，具备双路浮置输出，用于驱动中压 GaN HEMT。这款强驱动能力、1.6 A/6 A 源 / 灌电流双通道栅极驱动器，集成了电流检测放大器。它还具备可编程死区时间，以及多种工作模式，包括三态单 PWM 模式、HSCC 高端模式、HSCC 低端模式、Hi/Li 反相模式和 Hi/Li 模式。它采用 16 引脚 3x3 毫米封装。

特性

  • 双通道浮动输出电感驱动器
  • 强大的 1.6 A 源和 6 A 灌电流
  • 可配置死区时间或开启延迟
  • 集成电流检测放大器
  • 可配置操作模式
  • 每个输出通道上有 4 V - 13.2 V 电源
  • 两个输出驱动上都有 5 V 电流钳位电压

产品优势

支持多种功率拓扑，方案紧凑且散热能力强，适用于大功率应用，可灵活满足各类客户需求。
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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