2N7002
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

2N7002

N沟道增强型场效应晶体管 (FET),60V,SOT-23

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2N7002
2N7002
  • Ciss
    13 pF
  • Coss
    4.1 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    0.3 A
  • 最高 IDpuls
    1.2 A
  • 最高 Ptot
    0.5 W
  • QG (typ @10V)
    0.4 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3000 mΩ
  • 最高 RthJA
    250 K/W
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    1.5 V 至 2.5 V
  • VGS(th)
    2.1 V
  • 封装
    SOT-23
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Small Signal
  • 预算价格€/1k
    0.02
OPN
2N7002H6327XTSA2
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SOT-23
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SOT-23
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
2N7002 是采用小型表面贴装封装的 n 沟道增强型 MOSFET,具有卓越的开关性能。该产品特别适合低电压、低电流应用。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定
  • 快速切换
  • 无铅镀铅
符合RoHS标准
  • 无卤素
文档

设计资源

开发者社区

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