2N7002DW
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2N7002DW

采用 SOT363 封装的 N 沟道小信号 MOSFET 60 V
数据手册
封装

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2N7002DW
2N7002DW
数据手册
  • Ciss
    13 pF
  • Coss
    4.1 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    0.3 A
  • 最高 IDpuls
    1.2 A
  • 最高 Ptot
    0.5 W
  • QG (typ @10V)
    0.4 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3000 mΩ
  • 最高 RthJA
    250 K/W
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    1.5 V 至 2.5 V
  • VGS(th)
    2.1 V
  • 封装
    SOT-363 dual
  • 最高 工作温度
    150 °C
  • 最低 工作温度
    -55 °C
  • 极性
    N+N
  • 特殊功能
    Dual
  • 预算价格€/1k
    0.04
推荐的
OPN
2N7002DWH6327XTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOT363-6
封装名 SOT-363
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOT363-6
封装名 SOT-363
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合，这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力，非常适合各种应用，包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • dv/dt 额定值
无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准，无卤素
  • 符合汽车标准
  • 支持 PPAP

产品优势

  • 低 RDS(on)，效率高
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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