现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

6EDM2003L06-F15

适用于 IGBT 和 MOSFET 的三相桥式驱动器 IC 裸片
数据手册

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6EDM2003L06-F15
6EDM2003L06-F15
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (On)
    12.1 V
  • VBS UVLO (Off)
    10.4 V
  • VCC UVLO (On)
    12.1 V
  • VCC UVLO (Off)
    10.4 V
  • 产品名称
    6EDM2003L06-F15
  • 关断传播延迟
    560 ns
  • 开通传播延迟
    555 ns
  • 电压等级
    600 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    13 V to 17.5 V
  • 输出电流 (Sink)
    0.33 A
  • 输出电流 (Source)
    0.148 A
  • 通道数
    6
  • 配置
    Three Phase
  • 隔离类型
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
推荐的
OPN
6EDM2003L06F15X7SA2
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
6EDM2003L06-F15 是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的 MOSFET 或 IGBT 等功率器件，最大阻断电压为 +600 V。基于所使用的 SOI 技术，该驱动器对瞬态电压具有出色的耐受性。该器件中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。

特性

  • 600 V 薄膜 SOI 技术
  • 可耐受 -Vs 50V 瞬态尖峰
  • 集成自举功能
  • CMOS 和 LSTTL 兼容输入
  • 互锁以防止击穿
  • OCP 和 UVLO 保护
  • 发生错误时关闭所有开关
  • OCP 后 65 µs 延迟清除故障

产品优势

  • 集成 BS 二极管，节省成本
  • 50 V -VS，提高可靠性
  • 集成保护，节省成本
  • 低电源电压下的 UVLO 保护

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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