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AIKW50N65RF5
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

AIKW50N65RF5

停产
采用 SiC 功率技术、THD 封装的混合功率分立器件，适用于电动交通应用
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封装
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AIKW50N65RF5
AIKW50N65RF5
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商品详情

  • Eoff
    0.12 mJ
  • Eon
    0.31 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    80 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    46 A
  • 最高 ICpuls
    150 A
  • 最高 IF
    40 A
  • 最高 IFpuls
    100 A
  • QGate
    109 nC
  • td(off)
    156 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    13 ns
  • tr
    12 ns
  • VF
    1.45 V
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5 + CoolSiC Schottky Diode Gen5
  • 推出年份
    2020
  • 目前计划的可用性至少到
    2033

OPN
AIKW50N65RF5XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT,DE
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT,DE
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英飞凌的 650V TRENCHSTOP ™ 5 AUTO IGBT 与 CoolSiC ™二极管混合产品为车载充电器和 DC-DC 等快速切换汽车应用提供了经济高效的性能。它提供了极好的性价比，显著降低了 IGBT Eon，并且使设计更容易，从而获得更好的利润。

特性

  • 650V TRENCHSTOP ™ 5 IGBT + CoolSiC ™ Gen5
  • 一流的开关和传导性能
  • 无反向和正向恢复电荷
  • 高工作温度：Tj,max = 175°C
  • 抗浪涌电流
  • 低栅极电荷 Qg

产品优势

  • 最高可靠性环境条件
  • 提高系统效率
  • 最佳性能/成本比硬开关顶部
  • 适用于双向车载充电器
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