不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

AIMW120R060M1H

CoolSiC ™汽车 MOSFET 系列专为混合动力和电动汽车中当前和未来的车载充电器和 DC-DC 应用而开发
数据手册
封装
每件.
有存货

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AIMW120R060M1H
AIMW120R060M1H
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    36 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    60 mΩ
  • VDS max
    1200 V
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 推出年份
    2021
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 认证标准
    Automotive
OPN
AIMW120R060M1HXKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
AIMW120R060M1H 专为满足汽车行业对可靠性、质量和性能的高要求而设计。 使用 CoolSiC ™ MOSFET 的转换器的开关频率增加可导致磁性元件的体积和重量大幅减少高达 25%，从而显著降低应用本身的成本。性能的提升满足了电动汽车更高效率要求的新监管标准。卓越的栅极氧化物可靠性以及一流的英飞凌 SiC 质量扩展保证了非常长且安全的使用寿命，甚至可以满足非常严苛的任务要求。1200 V 开关中的最低栅极电荷和器件电容水平、内部换向保护体二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性等其他特性可确保轻松的设计和易于控制的应用设计。

特性

  • 半导体材料 - 碳化硅
  • 极低开关损耗
  • 无阈值
  • IGBT 兼容 V
  • 0 V 关断栅极 V
  • 栅极阈值 VGS(th)=4.5V
  • 用于同步的坚固体二极管
  • 与温度无关的关断开关损耗

产品优势

  • 提高效率
  • 实现更高的频率
  • 提高功率密度
  • 减少冷却工作量
  • 降低系统复杂性和成本

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }