不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

AIMW120R080M1

CoolSiC ™汽车 MOSFET 系列专为混合动力和电动汽车中当前和未来的车载充电器和 DC-DC 应用而开发
数据手册
封装
每件.
有存货

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AIMW120R080M1
AIMW120R080M1
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    33 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    80 mΩ
  • VDS max
    1200 V
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Launch year
    2021
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Qualification
    Automotive
OPN
AIMW120R080M1XKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
AIMW120R080M1 满足汽车行业的高可靠性、质量和性能要求。CoolSiC ™ MOSFET 可实现更高的开关频率，将磁性元件体积减少 25% 并降低成本。它符合新的电动汽车效率标准，确保了非常长且安全的使用寿命。其他特点：低栅极电荷和电容、无反向恢复损耗、低开关损耗和无阈值导通特性，易于设计。

特性

  • 半导体材料 - 碳化硅
  • 极低的开关损耗
  • 无阈值导通特性
  • IGBT 兼容驱动电压
  • 0 V 关断栅极电压
  • 栅极阈值 VGS(th)=4.5V
  • 用于同步的坚固体二极管
  • 与温度无关的关断开关损耗

产品优势

  • 提高效率
  • 实现更高的频率
  • 提高功率密度
  • 减少冷却工作量
  • 降低系统复杂性和成本

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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